Ningbo Deamak Companyist ein Unternehmen, das sich auf die Entwicklung und Produktion intelligenter Nachtlichter spezialisiert hat.In einigen Produkten des Unternehmens kommt die COB-Lichtquellentechnologie zum Einsatz.
Die COB-Lichtquelle ist eine integrierte Hochleistungs-Oberflächenlichtquelle.Es handelt sich um eine integrierte Oberflächenlichtquellentechnologie mit hoher Lichteffizienz, bei der DER LED-Chip mit hoher Reflexionsrate direkt auf das Spiegelmetallsubstrat geklebt wird.Diese Technologie eliminiert das Konzept der Halterung und kommt ohne Galvanisierung, Reflow-Schweißen und SMT-Prozess aus, sodass der Prozess um fast ein Drittel reduziert und auch die Kosten um ein Drittel eingespart werden.
Die COB-Lichtquelle kann entsprechend der Produktformstruktur, der Lichtfläche und der Größe der Lichtquelle gestaltet werden.
Produkteigenschaften: günstig, praktisch
Elektrische Stabilität, Schaltungsdesign, optisches Design, Wärmeableitungsdesign wissenschaftlich und vernünftig;
Durch den Einsatz der Kühlkörpertechnologie wird sichergestellt, dass LEDs die branchenführende thermische Lichtstromrückhaltungsrate (95 %) aufweisen.
Dies ist praktisch für die sekundäre optische Anpassung des Produkts und verbessert die Beleuchtungsqualität.
Hohe Farbanzeige, gleichmäßige Lumineszenz, kein Lichtfleck, Gesundheits- und Umweltschutz.
Einfache Installation, einfache Bedienung, reduzierte Schwierigkeiten bei der Lampenkonstruktion, wodurch Lampenverarbeitung und damit verbundene Wartungskosten eingespart werden.
Es gibt zwei Hauptformen der Bare-Chip-Technologie: COB-Technologie und Flip-Chip-Technologie.Chip-on-Board-Packaging (COB), Halbleiterchip-Übergabe auf der Leiterplatte befestigt, elektrische Verbindung zwischen Chip und Substrat wird durch Bleinahtverfahren hergestellt und mit Harz überzogen, um Zuverlässigkeit zu gewährleisten.
Der Prozess von Chip On Board (COB) besteht darin, den Platzierungspunkt des Siliziumwafers mit wärmeleitendem Epoxidharz (im Allgemeinen silberdotiertes Epoxidharz) auf der Oberfläche des Substrats zu bedecken und dann den Siliziumwafer direkt auf der Oberfläche des Substrats zu platzieren. Wärmebehandlung, bis der Siliziumwafer fest auf dem Substrat fixiert ist.Anschließend wird durch Drahtschweißen eine direkte elektrische Verbindung zwischen dem Siliziumwafer und dem Substrat hergestellt.
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Zeitpunkt der Veröffentlichung: 04.05.2022